本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是:(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层;(2)沉积过渡层与底电极薄膜;(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层;(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔;(5)沉积相变材料,填满纳米孔;(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化;(7)再沉积绝缘介质层,刻蚀出小孔,且与纳米孔对应;(8)沉积电极;(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化;(10)通过引线引出上电极,形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。
| 主体资格 | 转让方提供 | 受让方提供 | 平台提供 | 转让完成，可获得 |
|---|---|---|---|---|
| 自然人 | 身份证复印件，专利证书原件； | 身份证复印件 有效个体营业执照 |
转让申请书 代理委托书 转让协议书 发明人变更声明 |
专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 |
| 公司 | 有效的企业营业执照副本复印件，专利证书原件 | 有效的企业营业执照副本复印件；企业组织机构代码证 | ||
| 平台专属代理事务所将对委托交易全程监督，确保所有交易合同及相关文件合法有效。 | ||||
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