本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法,包括步骤:通过至上而下的工艺在(111)型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层,并以此为绝缘层在其上制作栅极,同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入制备漏极和源极,构成了基于硅纳米线的场效应管,由于硅纳米线整体贴在氮化硅薄层上,成品率得到很大提高。所制备的纳米线直径和长度可控,比表面积大,活性强,可作为气体传感器和生化传感器的敏感元件,具有广阔的应用前景。
主体资格 | 转让方提供 | 受让方提供 | 平台提供 | 转让完成,可获得 |
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自然人 | 身份证复印件,专利证书原件; | 身份证复印件 有效个体营业执照 |
转让申请书 代理委托书 转让协议书 发明人变更声明 |
专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 |
公司 | 有效的企业营业执照副本复印件,专利证书原件 | 有效的企业营业执照副本复印件;企业组织机构代码证 | ||
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